Bourns相关型号_深圳市芯幂科技有限公司

Bourns 非自恢复保险丝 7A, 24V 直流, T熔断速度+105°C陶瓷, 1.55mm宽, 0.6mm高, 3.1mm长

Bourns 非自恢复保险丝 4A, 24V 直流, T熔断速度+105°C陶瓷, 1.55mm宽, 0.6mm高, 3.1mm长

Bourns 一次性保险丝, 1A, 63V 直流, T熔断速度

Bourns 一次性保险丝, 2A, 63V 直流, T熔断速度

Bourns 非自恢复保险丝 3A, 24V 直流, F熔断速度+105°C陶瓷, 0.8mm宽, 0.45mm高, 1.6mm长

Bourns 非自恢复保险丝 5A, 24V 直流, F熔断速度+105°C陶瓷, 1.55mm宽, 0.6mm高, 3.1mm长

Bourns 非自恢复保险丝 2A, 63V 直流, F熔断速度+105°C陶瓷, 1.55mm宽, 0.6mm高, 3.1mm长

Bourns 非自恢复保险丝 2A, 24V 直流, F熔断速度+105°C陶瓷, 0.52mm宽, 0.35mm高, 1mm长

Bourns 非自恢复保险丝 1.5A, 32V 直流, F熔断速度+105°C陶瓷, 0.8mm宽, 0.45mm高, 1.6mm长

Bourns 非自恢复保险丝 4A, 24V 直流, F熔断速度+105°C陶瓷, 1.55mm宽, 0.6mm高, 3.1mm长

120 mOhms ±1% 0.75W，3/4W 芯片电阻 2010（5025 公制）厚膜

47 Ohms ±0.25% 0.25W，1/4W 芯片电阻 1206（3216 公制）电流检测薄膜

6.8 kOhms ±5% 1W 芯片电阻 2010（5025 公制）电流检测厚膜

470 kOhms ±5% 1W 芯片电阻 2010（5025 公制）电流检测厚膜

4.7 kOhms ±5% 1W 芯片电阻 2010（5025 公制）电流检测厚膜

1.8 kOhms ±5% 1W 芯片电阻 2010（5025 公制）电流检测厚膜

150 Ohms ±5% 1W 芯片电阻 2010（5025 公制）电流检测厚膜

120 kOhms ±5% 1W 芯片电阻 2010（5025 公制）电流检测厚膜

100 kOhms ±0.1% 0.125W，1/8W 芯片电阻 0805（2012 公制）电流检测薄膜

Bourns 非自恢复保险丝 4A, 125V 交流, HI熔断速度+125°C陶瓷, 2.6mm宽, 2.6mm高, 6.1mm长

Bourns(伯恩斯)的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的Bourns(伯恩斯)供应商

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